SK海力士官宣双重产能布局：Q2启动321层NAND扩产，同步推进HBM4高风险量产

2月3日，全球领先的存储芯片制造商SK海力士正式宣布两项关键产能规划，一方面将在2026年第二季度启动321层第9代NAND闪存的转换投资，聚焦清州M15厂区产能提升；另一方面同步启动HBM4（高带宽内存）的“高风险量产”，面向核心客户英伟达的产品测试预计于第一季度末完成，此举旨在强化其在AI存储与高端闪存领域的双重竞争力。

在NAND闪存领域，SK海力士此次明确了321层第9代产品的产能落地计划，核心聚焦韩国清州M15厂区的升级扩容。根据官宣信息，该厂区当前月产能约为2万片晶圆，此次转换投资完成后，月产能目标将提升至3万片，产能增幅达50%。据悉，321层NAND闪存作为SK海力士的高端产品，具备更高集成度、更优能效与更强性能，此前已成功开发出基于该工艺的UFS 4.1移动端解决方案及2Tb QLC NAND产品，此次扩产将进一步满足端侧AI、智能手机、AI数据中心及企业级SSD等领域的旺盛需求，同时巩固其在高端NAND市场的技术优势。

值得关注的是，SK海力士此次同步推进HBM4的“高风险量产”，打破了传统半导体“先完成客户测试、再启动量产”的常规流程。所谓“高风险量产”，即在客户最终质量认证尚未完全结束前，提前投入晶圆进行量产，此举的核心原因的是HBM产品交付周期长达约4个月，为紧跟英伟达下一代AI加速器的发布节奏，确保及时供应，SK海力士选择主动提速。目前，面向英伟达的HBM4产品测试正有序推进，预计于2026年第一季度末正式结束，测试重点聚焦信号时序、功耗分配与散热配置等系统级封装关键问题。

作为全球HBM市场的龙头企业，SK海力士2025年在全球HBM市场占据约61%的份额，且是英伟达HBM3/HBM3E的主要供应商，已与英伟达锁定长期供应协议，此次拿下了英伟达下一代AI平台“Vera Rubin”所需HBM4中约70%的供应订单。此次启动HBM4高风险量产，既是对AI算力需求爆发式增长的快速响应，也是其巩固市场领先地位的关键举措。据悉，SK海力士旗下清州M15X厂区（HBM4专用工厂）已提前投产，初期月产能约1万片，到2026年底有望扩大至5.5万至6万片，与此次量产计划形成产能协同。

业内人士分析指出，当前全球AI产业加速发展，AI数据中心的扩建持续推高HBM与高端NAND的需求，同时NAND市场供给紧张格局预计将持续至2026年底，价格有望维持高位。SK海力士此次同步推进321层NAND扩产与HBM4高风险量产，将进一步扩大其在两大核心赛道的产能优势，缓解市场供给紧张压力，同时提升对全球核心客户的交付能力。

SK海力士相关负责人表示，此次双重产能布局，契合公司“全方位面向AI的存储器供应商”的战略定位，未来将持续加大在先进存储技术与产能上的投入，依托技术迭代与产能扩张，应对市场竞争与客户需求变化，持续引领全球存储行业的发展方向。